SOI Wafer
SOI 웨이퍼는 표면과 기판 사이에 있는 절연층이 기판으로부터의 영향을 완전히 차단하기 때문에,
절연체 위에 형성된 고순도 실리콘 층의 효율 및 특성이 대폭 개선된 웨이퍼입니다.
SOI 웨이퍼는 절연층(열산화막)으로 차단되어 있는 얇은 무결점 실리콘층 덕분에 절연벽이나 웰(Well)형성공정을 줄일 수 있습니다.
SOI 웨이퍼는 일반 실리콘 웨이퍼에 비해 다소 단가가 높은 편이지만,
반도체 제조업체의 제품 개발과 생산에 소요되는 시간과 비용을 줄여 생산 원가를 절감할 수 있는 장점이 있습니다.
Diameter: 150~200mm
| Specification | TM-SOI | TM+EPI SOI | Bonded SOI | |
|---|---|---|---|---|
| Device Layer | Diameter (mm) | 200 | 200 | 150, 200 |
| Thickness (um) | 0.1 ~ 0.5 | 1.5 ~ 10 | 2 ~ 100 | |
| Uniformity | ±10nm | ±0.1μm | ±0.5μm | |
| Dopant | P-type / N-type | |||
| Resistivity | Customer’s spec | |||
| Buried Oxide | Thickness | 0.01 – 3μm | ||
| Uniformity | 〈±3% | |||
| Handle Layer | Dopant | P-type / N-type | ||
| Resistivity | Customer’s spec | |||